Overslaan en naar de inhoud gaan

Extreem ultraviolet licht laat zich moeilijk temmen

De productie van geïntegreerde schakelingen met kleine spoorbreedte kan niet meer met gewoon of ultraviolet licht. De golflengte daarvan is te groot om details van 0,07 micron, ofwel 70 nanometer, op een substraat te etsen. Voor een zo kleine spoorbreedte moet men overstappen op extreem ultraviolet (EUV) licht met een golflengte van 0,013 micron (13 nanometer).
Business
Shutterstock
Shutterstock

Het moment dat die overstap noodzakelijk wordt, ligt niet al te ver meer in de toekomst: de chipindustrie maakt momenteel de overstap van 130 naar 90 nanometer. Alternatieven zijn er niet. Sematech, een Amerikaans samenwerkingsverband voor de chipindustrie, beschouwt EUV als de enig haalbare techniek voor het maken van chips van de volgende generatie. De concurrerende e­beamtechnologie, waarbij de details van de chip geëtst worden door het substraat te beschieten met elektronen, is in de ijskast geplaatst. De elektronenbundel moet namelijk ingewikkelde patronen volgen, wat de techniek kwetsbaar en ook duur maakt. Lichtopbrengst Dat wil niet zeggen dat EUV probleemloos ingevoerd kan worden. De lampen en lasers die nu beschikbaar zijn, hebben bijvoorbeeld een veel te lage lichtopbrengst. Op een groot halfgeleidercongres in Dallas hebben wetenschappers gezegd dat de belichting met minstens een factor tien omhoog moet. "Geen lampen van 5 of 10 watt meer, maar van 100", zei Chuck Gwyn, programmadirecteur van EUV­LLC, een samenwerkingsverband van de grote chipproducenten, dat zogeheten precompetetief onderzoek bevordert. Het tweede grote probleem is het optreden van defecten door kleine stofdeeltjes. Een partikel van 50 nanometer doorsnede is in staat een belichtingsmasker volkomen onbruikbaar te maken. De leden van EUV­LLC streven naar een volkomen ‘schone’ productieomgeving voor de maskers. Trucjes om een beschadiging weg te werken, bijvoorbeeld door het wegbranden van een stofdeeltje met e­beamapparatuur, lijken veelbelovend, maar zijn moeilijk uitvoerbaar. Probleem nummer drie wordt gevormd door het optische systeem. Het gebruikte EUV­licht heeft een zeer hoge energie en is in staat om deeltjes van de spiegels die gebruikt worden om het EUV­licht te bundelen, los te slaan. Dit ‘puin’ zorgt binnenin de machine voor extra problemen. Ook buigen de techneuten zich over de fotogevoelige laag zelf. Daaraan valt nog veel te verbeteren, wat betreft de vloeibaarheid tijdens het aanbrengen (nodig voor een uniforme laagdikte) en de zuiverheid van de stof. Iedere vervuiling zorgt ook hier weer voor fouten bij de belichting. De diverse overheden, vooral van de Europese landen en Japan, hebben al onderkend dat EUV een groot belang vertegenwoordigd. Zij steunen de producenten van EUV­apparatuur met geld. Voor Europa is de komende jaren een bedrag van zo’n 100 miljoen euro uitgetrokken en de Japanse overheid blijft niet achter. In Japan gaat het meer over het stroomlijnen van het onderzoek dan om de financiering. De regering is er in elk geval al in geslaagd om Canon en aartsrivaal Nikon te laten deelnemen aan hetzelfde EUV­project.

Lees dit PRO artikel gratis

Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:

  • Toegang tot 3 PRO artikelen per maand
  • Inclusief CTO interviews, podcasts, digitale specials en whitepapers
  • Blijf up-to-date over de laatste ontwikkelingen in en rond tech

Bevestig jouw e-mailadres

We hebben de bevestigingsmail naar %email% gestuurd.

Geen bevestigingsmail ontvangen? Controleer je spam folder. Niet in de spam, klik dan hier om een account aan te maken.

Er is iets mis gegaan

Helaas konden we op dit moment geen account voor je aanmaken. Probeer het later nog eens.

Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:

Heb je al een account? Log in

Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:

Heb je al een account? Log in