Transistor sneller met raketbrandstof
De onderzoekers maken gebruik van het feit dat hydrazine in staat blijkt de moeilijk oplosbare halfgeleider tindisulfide op te lossen als zwavel aan het mengsel wordt toegevoegd. Daardoor wordt het mogelijk extreem dunne lagen van 5 nanometer dik van dit materiaal aan te brengen op een substraat van silicium. De transistors die hier vervolgens in werden aangebracht, bleken tien maal zo snel te kunnen schakelen als tot nog toe mogelijk was bij dit type thin-film-transistors. Bij de huidige methode wordt de laag tindisulfide aangebracht door het substraat op een soort draaitafel rond te draaien. In de toekomst verwachten de onderzoekers met hun methode ook een opdrukmethode te kunnen ontwikkelen, wat de productiekosten nog verder omlaag zou brengen. Eerste uitdaging is echter het vinden van een ander oplosmiddel dan hydrazine. Behalve explosief is dat namelijk ook giftig en mogelijk kankerverwekkend. De onderzoekers hebben er alle vertrouwen in dat dit lukt, nu ze weten naar welke eigenschappen ze moeten zoeken in zo’n oplosmiddel.