Nieuw geheugenmateriaal is beter dan Flash
Het gaat om een verbinding tussen neodymium, iridium en zuurstof, dat een stof oplevert die lichtelijk magnetisch is. Het materiaal is kunstmatig vervaardigd door mensen van de University of Tokyo en het RIKEN onderzoeksinstituut in Japan.
Shutterstock
Shutterstock
Kleine gebiedjes
Het materiaal is inwendig magnetisch, op zeer kleine gebiedjes in het materiaal. De magneetvelden lopen echter alle klanten op, zodat een complete klomp van de stof niet magnetisch is. Wel blijkt het mogelijk om de magneetgebiedjes te gebruiken voor het opslaan van gegevens. Een extra bijzonderheid is, dat langs de randen van de magneetgebiedjes kleine stroompjes kunnen lopen. Het materiaal is van nature een isolator, maar op nano-niveau vindt er wel geleiding plaats.
Geheugens
Van die eigenschappen kan gebruik worden gemaakt om zeer kleine geheugencellen te maken. Dioe cellen hebben bovendien de eigenschap dat ze vrijwel permanent de opgeslagen gegevens blijven behouden. De niet-vluchtigheid is daarmee vele malen groter dan die van Flash-geheugens. Op de website van SLAC is meer informatie over de nieuwe techniek te vinden.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee