Supersnel, supergroot geheugen klaar voor productie

Resistive RAM maakt gebruik van een andere techniek dan gewoon RAM en Flash-chips. In RRAM worden bij het wegschrijven van data als het ware verbindingsdraadjes gecreëerd die al of niet contact tussen de elektrodes maken; en dus uit te lezen zijn als nullen en enen. Daarmee kun je gegevens veel dichter op elkaar pakken dan bij gewoon RAM of flash-chips.

Redactie AG ConnectMeer van deze auteur

Dat leidt tot veel betere prestaties. In een enkele chip kun je 10 maal zoveel bits kwijt dan bij NAND-flash, de opslag vraagt 20 maal minder energie, en de vertraging bij lezen en schrijven is een factor 100 lager, stelt Crossbar. Het zou ook duurzamer zijn. RRAM zal 100.000 maal beschreven moeten kunnen worden.

Elektronenlek vroeg om een oplossing

De realisatie stuitte wel nog op één groot probleem: het elektronenlek. Naburige 'draadjes' werden namelijk makkelijk verstoord bij schrijfacties. Sneak path signal noemt Crossbar dat. Dat lekken van elektronen is niet een exclusief probleem voor RRAM. Andere opslagtechnieken hebben daar ook mee te maken. Maar voor RRAM was wel een eigen oplossing nodig voor het probleem. Die heeft Crossbar nu naar eigen zeggen gevonden. Crossbar doopte die Field-Assisted Superlinear Threshold-selectiemechanisme; die verbergt omliggende geheugencellen bij schrijfoperaties, waardoor ze beschermd zijn tegen onbedoelde wijzigingen.

Daarmee staat Crossbar op het punt om de productie van zijn RRAM te gaan testen in een productiefaciliteit. Het bedrijf verwacht begin 2016 op de markt te komen met zijn chips. In eerste instantie richt het zich op draagbare apparaten (wearables). Opslagapparatuur zoals Solid State Disks met RRAM komt over 18 maanden op de markt, denkt Crossbar nu.