Amerikanen verhogen snelheid van netwerken

Schakelingen die zijn gebouwd met SiGe kunnen worden aangedreven met zeer hoge klokfrequenties. De schakelelementen kunnen daardoor gebruikt worden voor netwerken met een hoge bandbreedte, zoals 10 Gb Ethernet. Bij proefschakelingen zijn al met succes datastromen met een bandbreedte van 12 gigabits per seconde in goede banen geleid. “Doordat onze chips snel kunnen schakelen, wordt de tijd dat het netwerk niet gebruikt wordt aanzienlijk bekort. De effectieve bandbreedte benadert zo de theoretische bandbreedte van een kanaal”, zegt algemeen directeur Van Wijk van ON Semiconductor. Het is de bedoeling dat de eerste werkende schakelelementen voor de tweede helft van dit jaar op de markt komen. ON Semiconductor maakt de chips geheel in eigen beheer, waarvoor in Phoenix, Arizona, een ontwikkelingscentrum is gebouwd. In dit Broadband Technology Development Center is ook geëxperimenteerd met exotische halfgeleiders, zoals GaAs, doch de voorkeur wordt gegeven aan technieken die meer lijken op de standaard CMos-chips.