Intel legt basis voor terahertz-processor

Voor de productie van de superprocessor heeft Intel een drietal nieuwe technieken ontwikkeld. Die zijn er vooral op gericht de energieconsumptie terug te dringen door het verminderen van de weerstand in de processor, het verminderen van lekstromen. Dat vermindert de warmte-ontwikkeling, tegenwoordig het grootste probleem bij het verder opvoeren van de prestaties van processors. Eén van de vernieuwingen is in feite een oude bekende: silicon on insulator (SOI). Deze techniek werd enkele jaren terug al door IBM geïntroduceerd. Intel claimt dat het IBM's versie van SOI nog aanmerkelijk verbeterd heeft. De lekstroom zou ten opzichte van IBM's implementatie van SOI nog met een factor 100 teruggebracht zijn. Daarnaast wil Intel de weerstand in de processor zelf verminderen door dikkere source- en drain-lagen toe te passen. Daardoor kan de processor op een lagere spanning werken, wat eveneens de warmte-ontwikkeling drukt. Ten slotte zegt Intel een nieuw materiaal ontwikkeld te hebben voor de gate, waar het feitelijke schakelen plaatsvindt. Het nieuwe materiaal - waarvan Intel de samenstelling niet heeft vrijgegeven - zou de lekstromen in dat deel van de processor met een factor 10.000 terugbrengen. (jwy)