Intel maakt details op chip nog kleiner

De poort van de transistors in de Prescott zal slechts 50 nanometer breed zijn; in de Pentium 4 is dit nog 70 nanometer. Daarnaast wordt in de processor gebruikgemaakt van een nieuw op koolstof gebaseerd isolatiemateriaal, dat de elektrische scheiding tussen de inmiddels zeven lagen 18 procent verbetert. Beide vernieuwingen dragen in belangrijke mate bij aan de prestatieverbetering. Opmerkelijk is, dat Intel bij de productie van de Prescott gebruikmaakt van ‘strained silicon’, oftewel silicium waarvan de atomen verder uit elkaar liggen dan tot nu toe. Elektronen verplaatsen zich met deze techniek sneller door de processor. Intel boekt ermee een snelheidswinst in de elektronenverplaatsing van 10 tot 20 procent. Dat Intel opgerekt silicium toepast is met name opmerkelijk omdat IBM – de grootste voorvechter ervan – deze techniek pas in 2005 denkt te kunnen inzetten. IBM verwacht bovendien dat het oprekken van silicium de productiekosten 10 procent doet toenemen. Intel heeft een proces ontworpen dat die stijging tot 2 procent beperkt.