Samsung ontwerpt 4 gigabit-geheugenchip

Praktische toepassingen voor de nieuwe chip zijn er nog niet. Samsung wil de opgedane ervaringen daarom gebruiken voor andere Dram-ontwerpen die nu al commercieel levensvatbaar zijn. Zo is het mogelijk de technologie toe te passen voor verdere miniaturisering van geheugenchips van 256 en 512 megabit. De Koreanen deden een boekje open over hun laboratoriumwerk tijdens een symposium over VLSI (very large scale integration) in Japan. De toekomstige 4 Gbit-geheugenchip is van het DDR-type (Double Data Rate), wat betekent dat gegevens twee keer zo snel gelezen en weggeschreven kunnen worden als met traditionele synchrone Dram's. Het prototype heeft een afmeting van 645 vierkante millimeter. De ontwerpers hebben gebruik gemaakt van een 0,11 micron-productieproces. Volgens Samsung is dezelfde technologie toepasbaar op Dram's met een capaciteit van 8 gigabit. (gke)