Amerikanen integreren led in transistor
Professoren Nick Holonyak Junior en Milton Feng van de Universiteit van Illinois at Urbana-Champaign hebben een licht uitstralende transistor ontwikkeld. Zo’n licht uitstralende transistor zou een belangrijke rol kunnen spelen bij de verdere ontwikkeling van opto-elektronische schakelingen.
Shutterstock
Shutterstock
De ‘light emitting transistor’ of ‘let’ heeft behalve de elektrische output-poort ook een optische output-poort. Holonyak en Feng hebben aangetoond dat ze de lichtintensiteit van die optische uitgang kunnen laten variëren door de basisstroom die over de transistor staat te manipuleren, net zoals de stroom die via de uitgangspoort loopt te manipuleren valt. Voor de transistor is gebruik gemaakt van verbindingen van indium galliumfosfide en galliumarsenide, materialen die ook bij ‘light emitting diodes’ (led’s) worden toegepast. Het prototype van de ‘let’, dat door een student ontwikkeld is, kan schakelen met een frequentie van 1 megahertz. De onderzoekers betwijfelen niet dat hogere frequenties mogelijk zijn.