Snellere chip door opgerekt silicium

In vergelijking met gewoon silicium is sprake van een snelheidswinst van 20 tot 35 procent, zo blijkt uit proeven. De gemeten winst verschilt per leverancier. AMD en IBM houden het op een versnelling in de orde van 10 tot 24 procent, afhankelijk van het type schakeling. Het opgerekte silicium zal worden gebruikt in chips die worden gemaakt met een spoorbreedte van 90 nanometer. "De techniek zal worden gecombineerd met een isolerend substraat en die combinatie zal erg effectief zijn", verwacht Martin Reynolds van Gartner. De chips uit opgerekt silicium zijn sneller dan hun voorgangers, maar wanneer ze op dezelfde kloksnelheid worden gebruikt als die voorlopers, dan nemen ze met minder vermogen genoegen. "Dat lagere energieverbruik zou wel eens veel belangrijker kunnen zijn dan de hogere snelheid", meent Reynolds. De eerste keer dat silicium werd opgerekt, werd het materiaal op een laag germanium (dat van zichzelf al een ruimer kristalrooster bezit) gelegd, zodat de silicium-atomen zich gingen richten naar de atomen in de onderlaag. De Dual Stress Liners (DSL) techniek van IBM en AMD werkt anders. Er wordt een apart materiaal bovenop het silicium aangebracht, waardoor de siliciumatomen op de gewenste wijze uit elkaar worden getrokken. Is dat gebeurd, dan wordt de toplaag weggeëtst. Op die manier blijft zuiver silicium over en is er geen last meer van een wisselwerking tussen silicium en germanium. Dit effect zorgde ervoor dat veel opgerekte chips van de eerste generatie niet goed werkten. AMD laat zich niet uit over het materiaal dat wordt gebruikt om de siliciumatomen uit elkaar te trekken, het enige dat het concern wel wil prijsgeven is dat wordt gewerkt met dunne films, bestaande uit een relatief goedkoop materiaal. Het nieuwe materiaal zal de basis vormen voor de toekomstige multi-core processoren van AMD, de eerste daarvan zal in de eerste helft van 2005 op de markt komen. Inmiddels zijn al kleine series van gewone processoren (Athlon FX) gemaakt volgens het nieuwe procédé. Uiteindelijk is het bedoeling dat ook processoren met een spoorbreedte van 65 nanometer, de volgende generatie, gemaakt worden volgens de nieuwe techniek.