Intel krimpt Ram-cellen tot 1 micron
Intel beschouwt de chip als een ‘proeflapje’ om te testen in hoeverre een nieuwe fabricagetechniek al is uitgerijpt. Het gaat daarbij om een procédé dat spoorbreedtes oplevert van 0,09 micron. "We hebben inderdaad vastgesteld dat we met succes transistoren van 90 nanometer kunnen maken. Daarmee hebben we een voorsprong op de concurrentie”, zegt Sunlin Chou, vice-president van Intels Technology en Manufacturing Group. Wanneer Intel chips gaat maken met deze spoorbreedte, wordt meteen afscheid genomen van de wafers met een doorsnede van 200 millimeter. “De nieuwe techniek wordt alleen nog maar gebruikt op wafers van 300 millimeter. Dan hebben we dubbel voordeel, de chips zijn kleiner en er passen er meer op een plak. In één produktiegang kunnen we er dan aanzienlijk meer maken”, aldus Chou. (rak)