Schrijven in 'zand' stap dichterbij

Rice University rapporteert over een technologie die verdere verkleining van circuits op basis van siliciumdioxide mogelijk maakt. Dat met siliciumoxide veel compactere schakelingen mogelijk zijn dan met het het nu algemeen gebruikte metallisch silicium, is al langer bekend. Onderzoekers van de Rice University zeggen er echter in te zijn geslaagd de verwerking van het weerbarstige siliciumoxide (eigenlijk heel zuiver 'zand') bij kamertemperatuur te doen plaatsvinden. Dat brengt massaproductie van geheugenchips op basis van nano-poreus siliciumoxide een stap dichterbij, claimen de onderzoekers.

Herschrijfbaarheid een factor 100 verbeterd

Het gaat bij deze ontwikkelen om zogeheten resistive random-access memory (RRAM), waarbij het onderscheid tussen een 0 en 1 wordt vastgelegd in de vorm van een elektrisch geleidend nano-kanaal door het op zich niet geleidende siliciumoxide. Een van de doorbraken die de onderzoekers nu melden, is dat ze er in zijn geslaagd om de spanning die nodig is om zo'n kanaal te bewerkstelligen, met een factor 13 terug te brengen naar 2 volt. Ook lukte het de herschrijfbaarheid van het siliciumgeheugen met een factor 100 te vergroten.