IBM effent pad voor DRAM-alternatief

PCM had tot nu toe twee nadelen. IBM zegt een oplossing te hebben voor 'drift', een fenomeen dat er voor zorgt dat er meer fouten optreden naarmate gegevens langer zijn opgeslagen. Verder toont IBM aan dat ook met PCM 'multilevel storage' mogelijk is. Daarmee kunnen meerdere bits per opslaglocatie worden vastgelegd.

Meer bits per locatie
In een artikel beschrijft IBM hoe met behulp van warmte en koeling het opslagmateriaal chalcogenide in 4 verschillende fasen kan worden gebracht. Per opslaglocatie kunnen daarom 2 bits met 4 binaire waarden worden vastgelegd, namelijk 00, 01, 10 en 11. De huidige generatie Flashgeheugens kan echter al 3 bits per locatie opslaan. IBM ziet echter mogelijkheden PCM te verbeteren tot 4 bits per locatie en daarmee efficiënter dan Flash te maken.

Chip houdt zelf drift in de gaten
In een tweede artikel levert IBM een oplossing voor drift, het fenomeen dat de elektrische weerstand van materiaal verandert in de tijd, waardoor de faseverschillen van het materiaal moeilijker zijn te detecteren en er dus geheugenverlies optreedt. Het proces is lastig in de hand te houden doordat deze 'veroudering' niet gelijkmatig in het opslagmateriaal optreedt. IBM heeft de oplossing gevonden in het reserveren van een klein gedeelte van het opslagmedium om de relatieve eigenschappen van alle opslaglocaties te beschrijven.

PCM kan DRAM-geheugen waarschijnlijk niet volledig vervangen in de servertoepassingen die IBM op het oog heeft. DRAM's zijn veel sneller in het schrijven en lezen van gegevens. Maar PCM kan wel de cache-taak van DRAM overnemen voor de opslag van gegevens die vaak nodig zijn.