'Zandgeheugen' is goedkoop, compact en hittevast

Onderzoeksleider James Tour presenteert zijn bevindingen als een belangrijke aanwijzing dat grotere geheugens op basis van sliciumdioxide op massaschaal goedkoop en relatief eenvoudig te produceren zullen zijn: "Het was niet makkelijk om het te ontwikkelen, maar nu is het erg gemakkelijk te maken".

Minder contactpunten nodig

De crux van Tour's geheugen is dat het gebruik maakt van het fenomeen dat elektrische stromen die door een dunne laag siliciumdioxide worden gejaagd, daarin een redox-reactie triggeren, zodat er een spoor van metallisch silicium achterblijft. Het al dan niet aanwezig zijn van dat spoor telt als een bit. Een breedte van slechts 5 nanometer blijkt al toereikend om een stabiel geheugen te creëren.
Bovendien zijn in deze opzet per bit slechts twee contactpunten nodig, te vergelijken met drie voor de nu gangbare 'transistor'-geheugens. Dat betekent behalve lagere productiecomplexiteit ook potentieel voor een grotere dichtheid. De uit zeer dunne laagjes siliciumdioxide opgebouwde geheugens zullen naar het zich laat aanzien ook beter dan de nu gangbare flashgeheugens bestand zijn tegen temperatuurwisselingen, straling en mechanische inwerking.